特性
?沟槽MOS肖特基技术
?低正向压降,低功耗损耗
?**运行
焊锡浴温度高275°C,
10秒每JESD 22-B106
?AEC-Q101合格
-汽车订购代码:base P/NHM3
?材料分类:用于符合性的定义
典型的应用
用于高频DC/DC变换器,开关
电源,自由二极管,OR-ing二极管,和
反向电池保护在商业,工业,和
汽车应用程序。
机械数据
案例:TO-247AD 3L
成型化合物符合UL 94 V-0可燃性等级
碱性P/N-M3 -无卤素,符合rohs标准
碱性P/NHM3 -无卤素,符合rohs标准
AEC-Q101合格
端子:哑光镀锡引线,可焊接
J-STD-002和JESD 22-B102
M3后缀符合JESD 201 1A类晶须测试,HM3后缀
符合JESD 201 2类晶须测试
极性:如标记
安装扭矩:大10磅
大额定值(除非另有说明,TA = 25°C)
参数符号vx60202pw单元
大重复峰值反向电压VRRM 200 V
大平均正向整流电流
(图1)
每台设备IF(AV)
60
一个
每个二极管30个
峰值前浪涌电流8.3毫秒单半正弦波
叠加在额定负载ifsm350a
工作结温度范围TJ (1) -40 ~ +175
°C
存储温度范围TSTG -40至+175
电气特性(TJ = 25°C,除非另有说明)
参数测试条件符号类型。MAX。单位
每个二极管的瞬时正向电压
If = 5 a
Tj = 25°c
VF (1)
0.61 -
V
如果= 15 a 0.72 -
如果= 30 a 0.79 0.84
If = 5 a
Tj = 125°c
0.47 -
If = 15 a 0.57 -
如果= 30 a 0.65 0.71
每个二极管额定VR的反向电流
Vr = 160v
Tj = 25°c
红外(2)
0.002 -
Tj = 125°c 3.7 -
Vr = 200v
Tj = 25°c - 0.2
Tj = 125°c 8.5 40
典型的结电容4.0 V, 1mhz CJ 2800 - pF
热特性(除非另有说明,TA = 25°C)
参数符号vx60202pw单元
每器件典型热阻RθJC 0.6°C/W
订购信息(示例)
P/N单位重量(g)包装代码基础数量交付模式
VX60202PW-M3/P 5.64 P 25/tube管子
VX60202PWHM3/P (1) 5.64 P 25/tube管子