英飞凌推出业界首款无铅封装的汽车电源MOSFET

　　英飞凌专*的无铅黏晶（芯片粘接） 175μm），为功率半导体提供多项改良：

　　环保的技术：不使用线索及其他有毒物质。

　　扩散焊接黏晶技术结合薄晶圆制程：大幅降低封装的导通电阻值的RDS（on）。

　　热阻（RthJC）改善率高达40 - 50％：传统的软线索焊料的热传导能力不佳，阻碍了MOSFET的接面之散热。

　　其他优点还包括：由于没有焊锡流量迹（出血）及晶片倾斜（芯片tiltness）的问题，以及更收敛的RDS（ON）与RthJC

　　从新款的OptiMOS T2 40V（如：IPB160N04S4 - 02D，160A）的规格产品得知，其RDS（ON）仅2.0mΩ且RthJC仅0.9K / W相较于使用标准线索焊接的同类产品，其导通电阻降低了约20％的OptiMOS T2的产品拥有同级产品中最佳效能。

　　上市时间

　　OtpiMOS T2为业界率先采用至无铅封装的车用电源的MOSFET的，系列产品包括IPB160N04S4 - 02D（160A，TO - 263封装），IPB100N04S4 - 02D（100A，TO - 263），IPP100N04S4 - 03D（100A，TO - 220 ）以及IPI100N04S4 - 03D（100A，TO - 262）皆已上市。