这些超小型双晶体管的集电极电流(IC)最大值可达2A,能够处理高达3A的峰值电流。同时,它们的效率极高,具有低至60mV的超低饱和电压(PBSS4230PANP),使其针对移动应用具有更低的功耗和更长的电池寿命。采用DFN2020-6封装的全新双晶体管非常适合用于负载和电源开关、智能手机和平板电脑等便携式应用中的电源管理和充电电路、背光装置以及其他空间受限型应用。恩智浦采用DFN2020封装的所有全新低VCEsat双晶体管产品均符合AEC-Q101汽车标准。
DFN2020-6比标准SO8封装小8倍,具有出色的热功耗能力(Ptot=1W)。具有热沉的DFN封装仅0.6mm高,因此可替代SO8或SOT457等许多尺寸较大的晶体管封装。
全新的DFN2020封装类产品丰富了恩智浦的低VCEsat晶体管产品组合,目前已包括36款采用无引脚和标准SMD封装的双晶体管,以及250多种高达500V和7A的单晶体管。
恩智浦采用DFN2020-6封装的全新低VCEsat双晶体管:http://www.nxp.com/group/10921
集电极电压最高的全新产品(PBSS4112PAN,120V,1ANPN/NPN):http://www.nxp.com/pip/PBSS4112PAN
饱和电压最低的全新产品(PBSS4230PANP,30V,2ANPN/PNP,VCEsat:60mV):http://www.nxp.com/pip/PBSS4230PANP
DFN2020-6(SOT1118)封装信息页面:http://www.nxp.com/packages/SOT1118.html