日立电线新品氮化镓模板可增强LED特性

”的底层基板，可以大幅提高白色 LED外延片的生产效率、增强LED特性。因此，对于激烈竞争的白色LED制造商而言，该产品有望成为能显著提升企业竞争优势的解决方案。

产品市场上的需求正在急剧扩大。白色LED外延片的基本生长方式是，先在蓝宝石基板上生长出一层10μm厚的n型GaN层，接着生长一层1μm厚的超薄活性层和p型GaN层（图2）。在一般的生产工序中，这些晶体层全部采用MOVPE法（注1）实现生长。MOVPE法虽然适用于需要原子级膜厚控制的活性层的生长，但要生长出所需厚度的优质n型GaN层，则需要花费较长时间。所以，白色LED外延片每天最多只能生长1～2次。因此，如何实现高效率的生产一直是业界亟待解决的难题。

　　为了解决这一课题，日立电线开发出了采用MOVPE法生长的底层基板所使用的GaN模板。

　　GaN模板采用在蓝宝石基板上生长n型GaN层的结构。通过采用GaN模板，LED制造商将不再需要n型GaN缓冲层的生长工艺，生长所需要的时间也将降至原来的一半左右。此外，采用日立电线生产的GaN模板，还可以同时实现低阻化和高结晶性，这也同样适用于需要较大电流的大功率LED。

　　此前，日立电线曾开发出用于蓝紫色激光器等设备的单晶GaN自支撑基板，并为了实现该产品的生产，推进了基于HVPE（注2）法的独有结晶生长技术的发展。此次，我们以此项独有的生长技术为依托，全新开发出高质量GaN模板的高效生产技术及设备，构建了完备的量产体制。

　　GaN模板主要具有以下特点：（1）基于在GaN自支撑基板的开发过程中积累的生长技术，实现了高结晶性和高表面质量；（2）具备同样适用于大功率晶片键合型LED等的低电阻n型GaN缓冲层（注3；（3）支持表面平坦的蓝宝石基板及各种PSS（注4）；（4）支持直径2～6英寸晶片（8英寸晶片的开发正在计划中）。

　　除以前开发出的GaN基板和GaN外延片外，日立电线此次又推出了GaN模板产品，今后将进一步强化和扩展GaN产品阵容，以提供可满足客户广泛需求的化合物半导体材料。

　　同时，日立电线还将参加于今年5月13～16日在美国新奥尔良市举办的CS Mantech（化合物半导体制造技术国际会议），并在展览会上进行有关GaN模板的展示说明。