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[VIP第3年] 指数:4
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| 项目 | 规格 | ||
|---|---|---|---|
| 控制方式 | 已存储程序 | ||
| I/O控制方式 | 循环扫描和立即处理均可实现。 | ||
| 编程 | ? 梯形图 ? SFC(时序功能图) ? ST语言文字(ST) ? 记忆 |
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| 指令长度 | 1～7步/指令 | ||
| 指令种类 | 约400个(3位功能代码) | ||
| 执行时间 | 基本指令 | 0.02μs(*小值) | |
| 专用指令 | 0.04μs(*小值) | ||
| 任务数 | 288(循环任务：32，中断任务：256) 注1. 周期性任务由TKON(820)与TKOF(821)指令控制， 并在每个循环周期执行。 2. 支持以下4种类型的中断任务。断电中断任务： 1 *大定时中断任务： 2 *大I/O中断任务： 32 *大外部中断任务： 256以下 |
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| 中断类型 | 定时中断：在CPU单元内置定时器的定时时间生成的中断。 I/O中断：从中断输入单元中断。 断电中断：CPU单元断电时执行的中断。 外部I/O中断：来自高功能I/O单元、CS系列CPU总线单元或内插板的中断。 |
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| 功能块*1 | 功能块定义中的语言：梯形编程、ST语言文字 | ||
| CIO(核心I/O) 区域 |
I/O区域 | 5,120: CIO 000000～CIO 031915(CIO 0000～0319，320字) 可更改**个字的设定默认值(CIO 0000)，以便可使用CIO 0000～CIO 0999。 I/O位将分配给基本I/O单元，如CS系列基本I/O单元、C200H基本I/O单元和C200H组2高密度I/O单元。 |
如果位未按此处显示的方式使用，CIO区可用 作工作位。 |
| 链接区域 | 3,200(200字)：CIO 10000～CIO 119915(字CIO 1000～CIO 1199) 链接位用于数据链接并分配给Controller |
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| CPU总线单元区域 | 6,400(400字)：CIO 150000～CIO 189915(字CIO 1500～CIO 1899) CS系列CPU总线单元位将存储CS系列CPU总线单元的工作状态。 (每个单元25字，16单元以下) |
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| 高功能I/O单元区域 | 15,360(960字)：CIO 200000～CIO 295915(字CIO 2000～CIO 2959) 高功能I/O单元位将分配给CS系列高功能I/O单元和C200H高功能I/O单元。(参见注释) (每个单元10字，*多96个单元。但是，*大凹槽总数限制为80，包括扩展凹槽，以便*大单元数真正为80。 注： *多可安装16个C200H高功能I/O单元。此外， 根据单元， *大值可以是10。部分I/O单元分类为高功能I/O单元。 |
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| 内插板区域 | 1,600(100字)：CIO 190000～CIO 199915(字CIO 1900～CIO 1999) 内插板位将分配给内插板。(100 I/O字以下) |
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| SYSMAC BUS区域 | 800(50字)：CIO 300000～CIO 304915(字CIO 3000～CIO 3049) SYSMAC BUS位将分配给连接到SYSMAC BUS远程I/O主站单元的从站装置。(每个装置10字，5个装置以下) |
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| I/O端子区域 | 512(32字)：CIO 310000～CIO 313115(字CIO 3100～CIO 3131) I/O端子位将分配给连接到SYSMAC BUS远程I/O主站单元的I/O端子单元(但不分配给从站装置)。(每个端子1字，32个端子以下) |
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| C200H高功能 I/O单元区域 |
8,192位(512字)：W00000～W51115(W000～W511) C200H高功能I/O单元位将分配给C200H高功能I/O单元，且可单独从I/O刷新访问。 |
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| DeviceNet区域 | 1,600(100字)： 输出：CIO 005000～CIO 009915(字CIO 0050～CIO 0099) 输入：CIO 035000～CIO 039915(字CIO 0350～CIO 0399) DeviceNet位将根据DeviceNet远程I/O通信分配给从站。 |
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| PLC链接区域 | 64位(4字)：CIO 024700～CIO 025015(字CIO 0247～CIO 0250) 将PLC链接单元用于PLC链接时，使用这些位可监控PLC链接错误和PLC链接中其他CPU单元的操作状态。 |
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| 内部I/O区域 | 4,800(300字)：CIO 120000～CIO 149915(字CIO 1200～CIO 1499) 37,504(2,344字)：CIO 380000～CIO 614315(字CIO 3800～CIO 6143) CIO区中的这些位在编程中用作工作位，以控制程序执行。(它们不能用于外部I/O。) |
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| 工作区域 | 8,192位(512字)：W00000～W51115(W000～W511) CIO区中的这些位在编程中用作工作位，以控制程序执行。(它们不能用于外部I/O。) 在编程中使用工作位时，先在工作区域中使用这些位，然后使用其他区域中的位。 |
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| 保持区域 | 8,192位(512字)：W00000～W51115(W000～W511) 保持位可用于控制程序执行，并且在PLC关闭或操作模式变化时保持其ON/OFF状态。 注： 功能块保持区域字将从H512分配给H1535。这些字只可用于功能块实例区域(内部分配的变量区域)。 |
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| 辅助区域 | 只读： 7,168位(448字)：A00000～A44715(字A000～A447) 可读/可写： 8,192位(512字)：A44800～A95915(字A448～A959) 辅助位是分配的特定功能。 |
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| 暂存区域 | 16位(TR0～TR15) 暂存位可用于暂时保存编程分支出的ON/OFF执行状态。 |
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| 定时器区域 | 4,096: T0000～T4095(独立于计数器) 注： 用于定时器设定的时间单位是0.1s、0.01s和0.001s (取决于使用的定时器指令) |
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| 计数器区域 | C0000 to C4095(独立于定时器) | ||
| DM区域 | 32K字：D00000～D32767 内部高功能I/O单元DM区域： D20000～D29599(100字 × 96单元) 用于为高功能I/O单元设定参数。 CPU总线单元DM区域： D30000至D31599(100字 × 16单元) 用于为CPU总线单元设定参数。 内插板DM区域： D32000～D32099 用于为内插板设定参数。 用作通用数据区域，供在字单元(16位)中读取和写入数据。关闭(OFF)PLC或更改操作模式时，DM区中的字将保持状态。 |
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| 项目 | 规格 | ||
|---|---|---|---|
| EM区域 | 每个存储库32K字，*多13个存储库：E0_00000～EC_32767以下(因CPU单元型号而异。) 用作通用数据区域，供在字单元(16位)中读取和写入数据。关闭(OFF)PLC或更改操作模式时，EM区中的字将保持状态。 EM区分为存储库，且可采用以下方法之一设定地址。 使用电流存储库的EMBC(281)指令和设定地址更改电流存储库。直接设定存储库编号和地址。 通过指定**个存储库的编号，可将EM数据存储在文件中。 |
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| 数据寄存器 | DR0～DR15：存储用于间接寻址的偏移值。每个寄存器有16位(1个字)。 | ||
| 索引寄存器 | IR0～IR15：保存间接寻址的PLC存储器地址。每个寄存器有32位(2个字)。 | ||
| 任务标志区域 | 32(TK0000～TK0031)：任务标志是只读标志，在对应循环任务可执行时为ON，在对应任务不可执行或处于备用状态时为OFF。 | ||
| 跟踪存储器 | 4,000字(一个数据追踪中可追踪的数据*多为500个采样，每个采用为31位和6个字)。 | ||
| 文件存储器 | 存储卡：可使用小型闪存卡(MS-DOS格式)。 EM文件存储器：部分EM区可以转换为文件存储器(MS-DOS格式)。 |
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| 功能 | 并行处理模式 | 程序执行和外围服务可同时执行。 | |
| 无电池操作 | 用户程序和系统参数自动备份在闪存(标准设备)中。 | ||
| 周期时间常数 | 可能(1～32,000ms)(单位：1ms) | ||
| 周期时间监控 | 支持(如果周期过长，单元将停止操作)：10～40,000ms(单位：10ms) | ||
| I/O刷新 | 周期刷新、立即刷新、使用I/O REFRESH指令刷新 | ||
| 更改运行模式时的I/O存储保持功能 | 支持(取决于辅助区域中的IOM保持位的ON/OFF状态。) | ||
| 负载OFF功能 | 输出单元中的所有输出均可关闭(OFF)。 | ||
| 输入响应时间设定 | 可为来自基本I/O单元的输入设定时间常数。 增加时间常数可降低噪声和振荡的影响，或者减少以检测输入中更短的脉冲(仅限CS1基本I/O单元)。 |
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| 电源ON时的模式设定 | 支持。 | ||
| 存储卡功能 | 接通(ON)电源时自动从存储库读取程序(autoboot)。 | ||
| 数据在存储卡中的存储格式 | 用户程序：程序文件格式 PLC设定与其他参数：数据文件格式(二进制格式) I/O存储器：数据文件格式(二进制格式)、文本格式或CSV格式 |
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| 支持存储卡读取/写入的功能 | 用户程序指令、编程设备(包括编程器)、上位链接计算机 | ||
| 文件功能 | 存储卡数据和EM(扩展数据存储器)区可作为文件处理。 | ||
| 调试功能 | 控制设定/复位、差监控、数据追踪(定时、每个周期或执行指令时)、发生程序错误时存储生成错误的位置 | ||
| 在线编辑 | CPU单元处于MONITOR或PROGRAM模式时，可在程序块单元中改写用户程序。 (该功能对于块编程区域不可用。) |
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| 程序保护 | 防止改写：使用拨动开关设定。 防止读取：使用编程设备设定密码。 |
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| 出错检查 | 用户定义的错误(即用户可定义严重错误和非严重错误) FPD(269)指令可用于检查每个编程块的执行时间和逻辑。 |
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| 出错记录 | 错误日志*多存储20个错误。信息包括错误代码、错误详细信息和错误发生时间。 | ||
| 串行通信 | 内置外围端口： 编程设备(包括编程器)连接、上位链接、NT链接 内置RS-232C端口： 编程设备(不包括编程器)连接、上位链接、无协议通信、NT链接和串行网关*3 |
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| 串行通信板(另售)：协议宏、上位链接、无协议通信*3、NT链接、串行网关*3和Modbus-RTU从站*5 | |||
| 时钟 | 所有型号均提供。 注： 用于存储接通(ON)电源和发生错误的时间。 |
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| 电源OFF检测时间 | 10～25ms(不固定) | ||
| 电源OFF检测延迟时间 | 0～10ms(用户定义，默认：0ms) | ||
| 断电期间存储器保持 | 保持区域：保持位、数据存储器和扩展数据存储器的内容以及计数器完成标志的状态和现有值。 注： 如果打开(ON)辅助区域中的I/O存储保持图， 且将PLC设定设定为在接通(ON)PLC电源时保持I/O存储保持图状态， 则CIO区域、工作区域、部分辅助区域、超时标志和PV、索引寄存器和数据寄存器的内容将保存。 |
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| 将命令发送到上位链接计算机 | 通过从PLC执行网络通信指令，可将FINS命令发送到通过上位链接系统连接的计算机。 | ||
| 远程编程和监控 | 可以通过Controller
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| 8级通信*2 | 通过使用上位链接，*多可跨八个网络层(Controller
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| 将注释存储在 CPU单元中 |
I/O注释将存储在CPU单元的存储卡*1或EM文件存储器中。 | ||
| 程序检查 | 程序检查在项目开始操作时执行，如无END指令和指令错误。 编程设备(编程器除外)也可用于检查程序。 |
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| 控制输出信号 | RUN输出：以RUN模式或MONITOR模式运行CPU单元时，内部接点将为ON(闭合)。 仅C200HW-PA204R、C200HW-PA209R和CS1D-PA207R电源单元提供这些端子。 |
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| 电池寿命 | 电池寿命在环境温度为25°C下为5年，但在不利温度和电源条件下寿命会短至1.1年。(电池组：CS1W-BAT01)*3 *4 | ||
| 自检功能 | CPU错误(WDT)、I/O验证错误、I/O总线错误、存储器错误和电池错误。 | ||
| 其他功能 | 辅助区域中的字存储了断电次数、*后一次断电时间以及通电时间总长。 | ||
*1. 仅限单元Ver.3.0或更高版本的CPU单元。
*2. 仅限单元Ver.2.0或更高版本的CPU单元。（跨三个网络层通信受支持， 前提是低于Ver.2.0 CPU单元）
*3. 仅限单元Ver.3.0或更高版本的CPU单元或仅限单元Ver.1.2的串行通信板/单元。
*4. 更换的电池需在过去2年内生产。
*5. 仅限Ver.1.3或更高版本的串行通信板/单元。
