英飞凌推出用于光伏发电逆变器等的耐压1200V的SiC型FET

　　德国英飞凌科技（Infineon Technologies AG）开发出了适用于光伏发电用逆变器等的耐压为1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC产品群”，并在2012年5月8日～10日于德国举行的电源技术展会“PCIM Europe 2012”上宣布投产。尽管该公司此前向市场投放过使用SiC材料的肖特基势垒二极管，但此次是首次实现SiC制结型FET的产品化。SiC型FET将与专用驱动IC组合销售，2012年第二季度开始样品供货。

　　新产品的主要用途为光伏发电的逆变器装置。如果采用SiC型FET代替现有逆变器装置中使用的IGBT，便可实现装置的小型轻量化。这是因为新产品可实现高于IGBT的工作速度。也就是说，即便提高工作频率，也能降低开关损失。因此，电感器及电容器等被动元件可使用小型产品，所以能够实现整个装置的小型轻量化。

　　CoolSiC产品群备有导通电阻及封装方式不同的6款产品。分别为导通电阻为35mΩ、封装采用TO-247的“IJW120R035T1”，导通电阻为50mΩ、封装采用TO-247的“IJW120R050T1”，导通电阻为70mΩ、封装采用TO-247的“IJW120R070T1”、导通电阻为100mΩ、封装采用TO-247的“IJW120R100T1”，导通电阻为70mΩ的裸芯片“IJC120R070T1”，以及导通电阻为100mΩ的裸芯片“IJC120R100T1”。价格方面，以IJW120R100T1为例，批量购买1000个时美国市场的参考单价预定为24.90美元。