科锐推出S波段GaN器件实现雷达应用的效率最大化

　　科锐 CGH35060 GaN HEMT 晶体管28V 工作电压下的额定脉冲功率为 60W（当脉宽为100微秒时），功率增益为12dB，漏极效率为 65%，与传统硅 LDMOS 器件相比高出50%。CGH35060 型 GaN 器件已经在高功率放大器参考设计（S 波段频率在3.1至3.5GHz 之间）中得到验证。与 GaAs和Si技术相比，CGH35060 还具有长脉冲、高功率性能（低于0.6dB）、优异的信号保真度以及非常低的功率衰减等特性。

　　新型GaN HEMT 晶体管与科锐 S 波段全套产品系列相匹配，包括CGH31240F/CGH35240F全面匹配240W GaN HEMT 器件（2.7 - 2.9GHz / 3.1 - 3.5GHz）以及CMPA2735075F两级封装GaN HEMT 单片式微波集成电路（MMIC）。

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