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新的工艺技术现已应用于研发和量产。通过这两项最新技术，科锐能够提供包括全套和专用掩模组在内的多项代工服务以促进定制电路的快速发展。G40V4 工艺可在28V 和40V 两种工作电压、18GHz 以下的场效应晶体管（FET）外缘的射频功率密度 6W/mm的环境下进行。G50V3 工艺可在工作电压为50V、6GHz 以下的场效应晶体管（FET）外缘的无线射频功率密度8W/mm的环境下进行。两项工艺技术全部基于科锐先前发布的 G28V3 工艺技术。自2006年应用于生产以来，0.4微米、工作电压为28V 的 G28V3 工艺技术是业内现场故障率最低的微波技术之一（每10亿小时中有9个故障器件）。
科锐估计，如果在典型三部式多波段 LTE/4G 通讯远程无线电头端（RRH）的安装中以 GaN 替代传统晶体管技术，可减少高达 20% 的 RRH 功耗，从而降低运营成本和能耗。除此之外，新工艺还能够降低初始系统成本。GaN工艺的高电压和高效率能够帮助缩小散热器和外壳尺寸、降低无线射频放大器的设计复杂性以及减少交流至直流和直流至直流转换器的成本。此外，现在空气就可替代以前所需的大型风扇实现系统冷却。所有这些改进可节约高达10%的材料成本，大幅降低系统购置成本。
军用雷达系统也可获得同样的优势。科锐GaN工艺的高效率能够在减少工作功耗的同时减少维修费用，因此能够显著优化系统寿命周期成本。G40V4 和 G50V3 工艺的工作（通道）结温为225？C，平均寿命超过两百万小时（228年），其卓越的可靠性能够显著降低雷达系统在工作寿命内的维修和维护成本。
科锐无线射频（RF）及微波部门总监 Jim Milligan表示："我们的客户需要可靠且更高频率的工艺用于开发 GaN 的优势并应用于包括卫星通信、雷达和电子战市场在内的高于6GHz 的领域，我们相信全新的 G40V4 工艺能够很好地满足客户的需求。同时，针对客户对低成本 GaN 解决方案的需求，科锐新推出了工作电压为50V的G50V3工艺，能够实现优异的无线射频输出功率性价比，旨在加速 GaN 在通讯基础设施等对成本极其敏感的市场领域中的普及， GaN 现在能够在这些领域中提供硅 LDMOS 无法比拟的性能优势。"
