Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列

~新的E系列器件具有低至39m?的导通电阻和7A～73A电流，采用的超级结技术可实现低FOM和高功率密度，具有8种封装~

网，2012年10月22日讯 --日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件，将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39m ?～600m ?，将最高电流等级扩展至7A～73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超级结技术，使公司进入使用功率转换技术的增量市场，包括照明、适配器和高功率可再生能源系统。

　　今天发布的器件使600V E系列MOSFET的器件数量增加到27个。所有的E系列器件都具有超低的导通电阻和栅极电荷，可实现极低的传导损耗和开关损耗，从而在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、不间断电源(UPS)、电池充电器、LED照明、半导体生产设备、适配器和太阳能电池逆变器等高功率、高性能的开关应用中节约能源。

　　器件可承受雪崩和通信模式中的高能脉冲，保证通过100% UIS测试时达到极限条件。MOSFET符合RoHS指令。

器件规格表：

型号

V_BRDSS(V)

I_D@ 25 ?C (A)

R_DS(ON)max. @ V_gs= 10 V (m?)

Q_gtyp @

V_gs= 10V

(nC)

封装

SiHP7N60E

600

7

600

20

TO-220

SiHF7N60E

600

7

600

20

TO-220 FullPAK

SiHD7N60E

600

7

600

20

DPAK/TO-252

SiHU7N60E

600

7

600

20

IPAK/TO-251

SiHP12N60E

600

12

380

29

TO-220

SiHF12N60E

600

12

380

29

TO-220 FullPAK

SiHB12N60E

600

12

380

29

D2PAK/TO-263

SiHP15N60E

600

15

280

38

TO-220

SiHF15N60E

600

15

280

38

TO-220 FullPAK

SiHB15N60E

600

15

280

38

D2PAK/TO-263

SiHP22N60E

600

22

180

57

TO-220

SiHB22N60E

600

22

180

57

D2PAK/TO-263

SiHF22N60E

600

22

180

57

TO-220 FullPAK

SiHG22N60E

600

22

180

57

TO-247AC

SiHP30N60E

600

30

125

85

TO-220

SiHB30N60E

600

30

125

85

D2PAK/TO-263

SiHF30N60E

600

30

125

85

TO-220 FullPAK

SiHG30N60E

600

30

125

85

TO-247AC

SiHW30N60E

600

30

125

85

TO-247AD

SiHB33N60E

600

33

99

100

D2PAK/TO-263

SiHP33N60E

600

33

99

100

TO-220

SiHG33N60E

600

33

99

100

TO-247AC

SiHW33N60E

600

33

99

100

TO-247AD

SiHG47N60E

600

47

99

147

TO-247AC

SiHW47N60E

600

47

64

147

TO-247AD

SiHG73N60E

600

73

64

241

TO-247AC

SiHW73N60E

600

73

39

241

TO-247AD

　　*备注：粗体的器件是E系列的新增型号。

　　这些新款功率MOSFET现可提供样品，量产订货的供货周期为十六周到十八周。