今天发布的这些红外发射器采用透明无色封装,在20mA下的典型发光强度达1mW/sr,比市场上的类似器件高33%,开关时间只有15ns。940nm VSMB10940采用GaAIAs多量子井技术,典型正向电压为1.3V;850nm VSMG10850采用双异质技术,正向电压为1.4V。
VEMD10940F光电二极管具有一个匹配VSMG10850和VSMB10940等830nm~950nm红外发射器的日光滤光片。器件的反向光电流为3μA,暗电流为1nA,峰值敏感度波长为920nm,光电流的温度系数低至0.1%/K。
VSMG10850、VSMB10940和VEMD10940F的外形很低,适合用在打印机显示屏、电子书阅读器、智能手机、平板电脑、超级本和GPS导航仪等设备的红外触摸板当中。器件可以在车间存放168小时,潮湿敏感度等级达到J-STD-020规定的3级。发射器和光电二极管支持无铅回流焊,并符合Vishay的绿色标准。
新款红外发射器和光电二极管现可提供样品,并已实现量产,供货周期为六周到八周。