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半导体激光器工作原理及近期科研进展汇总

放大字体缩小字体发布日期:2014-10-10 来源:[标签:出处] 作者:[标签:作者] 浏览次数: 90
核心提示:
网讯: 半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的 激光器,由于物质结构上的差异,不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。半导体激光器件,可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。同质结激光器和单异质结激光器室温时多为脉冲器件,而双异质结激光器室温时可实现连续工作。

,这种受激辐射基于从半导体导带的一个次能级到同一能带更低一级状态的跃迁,由于只有导带中的电子参与这种过程,因此它是单极性器件。

半导体激光器分类

  1、条形结构激光器

  2、GaAIAs/GaAs激光器

  3、InGaAsP/InP激光器

  4、可见光激光器

  5、远红外激光器

  6、动态单模激光器

  7、分布反馈激光器

  8、量子阱激光器

  9、表面发射激光器

  10、微腔激光器

  11、异质结构激光器

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