成立产业联盟：宽禁带功率半导体激光应用扩大

网讯：“宽禁带功率半导体”是指使用某一种宽禁带半导体材料制成的功率半导体器件，是相对于硅半导体材料制成的硅功率半导体器件而言的。宽禁带半导体材料中最有意义的是碳化硅、氮化镓和氧化锌半导体。为什么把它们称为“宽禁带”，是因为它们与硅材料相比在半导体十分重要的参数“禁带宽度”上相差甚远，这些材料的禁带宽度在3.3到3.5电子伏之间，而硅单晶是1.21电子伏，前者是硅的3倍，所以称为宽禁带半导体材料。

相比，它不仅可以将光盘纪录的信息量提高四倍以上，而且可以大大提高光信息的存取速度。虽然人们早就认识到氮化镓的这一优点，但由于氮化镓单晶材料制备上的困难以及难于生长出氮化镓PN结。直至1985年通过先进的分子束外延方法才有改善了的氮化镓材料投入应用；

研究获重大突破

　　863计划新材料领域“蓝绿色垂直腔面发射半导体激光器”课题近日取得重大突破，在我国（除台湾地区外）首次实现了室温光泵条件下氮化物面发射激光器（VCSEL）的受激发射，所得器件重要性能指标超过了国际报道的最好水平。这标志着我国氮化物面发射激光器研究已进入世界先进行列。