快捷发表1200V场截止沟道IGBT系列开关

快捷半导体(Fairchild)推出1,200伏特(V)场截止沟道绝缘闸双极性电晶体(IGBT)系列产品。全新的IGBT系列瞄准硬开关工业应用，如太阳能逆变器、不断电系统(UPS)及焊机电源，将帮助电源工程师们的设计实现更高的效率及可靠性。

快捷半导体工业功率系统总监MH Lee表示，业界必须拿出新的电力电子创新技术才能帮助各大太阳能逆变器厂商降低成本并提高设备效率及可靠性。快捷的1200伏特场截止沟道IGBT系列正可帮助客户提高其太阳能逆变器之能源效率及可靠性，有利于厂商满足政府监管及最终客户对进一步节约能源的要求。

新的1200伏特场截止IGBT系列将其VCE(SAT)压到了1.8伏特，远低于前代的快速开关NPT IGBT系列，最大限度地减少传导损失。新器件的VCE(SAT)标量在1200V快速开关IGBT的同类市场中，已经跻身最低者之行列。由于EOFF值不到30μJ/A，故而开关损耗极低，其中还同时封装了一个二极体，进一步优化快速开关性能。

快捷1200伏特场截止沟道IGBT系列还能让设计师们提高设备开关频率，有利于减小电路中电容器和电感元件的体积、使用更廉价的选择，从而超越同类竞争解决方案。如此提高系统设计的功率密度、缩小了体积，从而降低物料成本。