台积电最近助海思半导体(HiSilicon)成功产出全球首颗以16纳米鳍式场效晶体管(FinFET)的ARM架构网络芯片,设备厂透露,这项成就宣告台积电16纳米在面临三星及英特尔进逼下,已取得压倒性胜利。
此外,台积电也正式向英特尔宣战,目标是二年内在10纳米晶体管技术追平英特尔,届时在芯片闸密度及金属层连结等二要项都超越英特尔,将让台积电称冠全球,并奠定全球晶圆代工不可撼动的地位。
台积电的这项成就,是昨天出席台积电高雄气爆感恩与祝福餐会的半导体设备厂所透露,针对台积电宣布全球首颗16纳米产品完成产品设计(tape-out)后,点出台积电在16纳米FinFET的重要成果。
不愿具名的设备商指出,台积电为海思成功产出的全球首颗以16纳米生产、功能完备的网通处理器,等于宣告海思具备可以提供自家集团华为的核心处理器。该晶片是以ARMv8架构为基础的32核心ARM Cortex-A57网络芯片,运算速度可达2.6GHz。
华为目前是向英特尔采购以22纳米制程的网络芯片,台积电与海思的合作,也代表中国大陆已具备自主生产高阶网络芯片的地位,对英特尔带来一定程度的威胁。
同时根据设备业者消息,台积电16奈米FinFET Plus制程也进入试投片(try run)先前作业阶段,可望提前至第4季试产,主要客户除了绘图晶片厂英伟达(NVIDIA)、FPGA厂商赛灵思(Xilinx)、手机芯片厂商高通外,众所瞩目的苹果新款应用处理器也将试投片清单中。