型号
G3DZ-4B
功率MOS FET继电器输出
动作时间10ms以下
复位时间15ms以下
输出ON电阻2.4Ω以下
开路时漏电流10μA以下(DC125V时)
绝缘电阻100MΩ以上(DC500V兆欧表)
输入输出间耐电压AC2,000V 50/60Hz 1min
振动10~55~10Hz 单振幅0.75mm(双振幅1.5mm)
冲击500m/s2
使用环境温度、保管温度-25~+55℃(无结冰)
使用环境湿度45~85%RH
质量约65g