富士电机株式会社（法人代表董事兼社长：北泽通宏，总部：东京都品川区）推出的“第2代分立式SiC-SBD※系列”功率半导体产品已开始上市发售，特此通知。该产品将有助于推动数据中心和通信基站等实现节电。

※Schottky Barrier Diode

1．背景

随着DX（数字化转型）的启动、远程办公的日益普及以及互联网服务得到越来越广泛的应用，网络通信量与日俱增，数据中心和通信基站的设备投资加速。与此同时，电源设备的需求也在不断増加，电源设备当前的市场规模约为3,000亿日元，预计到2028年度将会增长至约4,500亿日元※。

数据中心和通信基站的设备运转需要大量的直流电力，因此电源设备中一般配备有功率半导体（二极管），以便将电力公司供应的交流电高效转换（整流）为直流电。

功率半导体在通电时会产生电力损耗（恒定损耗）。此次，我们针对数据中心和通信基站等的电源设备，开发并推出了“第2代分立式SiC-SBD系列”产品，该产品可通过降低电路内的恒定损耗来帮助设备实现节电。

我们将面向全球推广该产品，希望通过推进设备的节电为建设脱碳社会尽一份力。

※本公司根据IHS公司的资料进行的推算

2．产品特点

将电路板的厚度缩减至三分之一，实现低损耗

要想降低功率半导体的电力损耗，方法之一是将作为元件的电路板加工得更薄，以缩短电流的传导距离。与本公司老款产品第1代SiC-SBD系列相比，本产品所配备的SiC（碳化硅）电路板的厚度已降至其三分之一左右，同时，通过调整芯片结构，使恒定损耗降低了16%※。我们运用公司特有的加工技术降低电路板厚度，从而打造出行业高水平的薄度。此外，该产品还提高了对雷击引起的大电流的抵抗能力。这些对于提高其搭载设备的节能以及可靠性将会起到推动作用。

※额定电压650V产品

3．主要规格

※尚处于开发阶段（计划于2022年1月发售）

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